[发明专利]一种TFT阵列基板的制造方法及TFT阵列基板

摘要

本发明公开了一种TFT阵列基板的制造方法及TFT阵列基板。所述TFT阵列基板的制造方法包括步骤一：提供一基板；步骤二：使用第一掩模版对基板上的第一金属层进行光刻；步骤三：使用第二掩模版对第一绝缘层进行光刻形成第一通孔和第二通孔；步骤四：使用第三掩模版对第二金属层进行光刻；步骤五：使用第二掩模版进行光刻形成第三通孔和第四通孔；步骤六：使用第四掩模版对透明电极层进行光刻形成透明电极图案。在制成采用ASG技术的TFT阵列基板时，除了上述四块掩膜版外，还需使用第五块掩膜版形成半导体有源层，总共需要五块掩膜版，相对于现有技术中的六块掩膜版来说，节约了一块掩膜版，降低了生产成本。

主权项

一种TFT阵列基板的制造方法，包括：步骤一：提供一基板，所述基板包括显示区域和包围所述显示区域的周边区域；步骤二：在所述基板上形成第一金属层，使用第一掩模版对所述第一金属层进行光刻，形成第一金属图案；步骤三：在所述基板和第一金属图案上形成第一绝缘层，使用第二掩模版对所述第一绝缘层进行光刻，在所述显示区域的第一绝缘层上形成第一通孔，并在所述周边区域的第一绝缘层上形成第二通孔，所述第二通孔暴露部分所述第一金属图案；步骤四：在所述第一绝缘层上、第一通孔和第二通孔内形成第二金属层，使用第三掩模版对所述第二金属层进行光刻，形成第二金属图案，所述第二金属图案通过所述第二通孔与所述第一金属图案电连接；步骤五：在所述第一绝缘层、第二金属图案上形成第二绝缘层，使用所述第二掩模版对所述第二绝缘层进行光刻，以在所述显示区域的第二绝缘层上形成第三通孔，并在所述周边区域的第二绝缘层上形成第四通孔，所述第三通孔暴露部分所述第二金属图案，所述第四通孔暴露部分所述第二金属图案；步骤六：在所述第二绝缘层上、第三通孔和第四通孔内形成透明电极层，使用第四掩模版对所述透明电极层进行光刻以在所述显示区域内形成透明电极图案，所述透明电极图案通过所述第三通孔与所述第二金属图案电连接。