[发明专利]高压IGBT器件的VLD终端及其制备方法有效
| 申请号： | 201210563950.6 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103887331B | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 上海矽睿科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人： | 王松 |
| 地址： | 201815 上海市嘉*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种高压IGBT器件的VLD终端及其制备方法，所述终端制作于半导体基板之上，半导体基板上分别设置有源区、过渡区和保护区；有源区设有基区与漂移区构成的IGBT元胞的并联结构；过渡区包括漂移区，同时与有源区及保护区相连，位于有源区之外、保护区之内；保护区包括VLD分压保护区及截止环保护区，VLD分压保护区位于保护区内侧，VLD分压保护区环绕过渡区，VLD分压保护区及基区在第一主平面内通过第一电极相连，截止环保护区位于保护区外侧，并独立于VLD分压保护区，截止环保护区环绕包围VLD分压保护区，截止环保护区包括第一导电类型截止环和第二导电类型截止环。本发明高压IGBT器件的VLD终端及其制备方法可节约芯片成本，提高IGBT产品的竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 igbt 器件 vld 终端 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高压IGBT器件的VLD终端，其特征在于，所述终端制作于半导体基板之上，半导体基板上分别设置有源区、过渡区和保护区；有源区设有基区与漂移区构成的IGBT元胞的并联结构，过渡区包括漂移区，保护区包括VLD分压保护区及截止环保护区；所述过渡区同时与有源区及保护区相连，位于有源区之外、保护区之内；所述保护区包括位于内侧的VLD分压保护区、位于外侧的截止环保护区，VLD分压保护区环绕过渡区，VLD分压保护区及基区在第一主平面内通过第一电极相连，截止环保护区位于保护区外侧，并独立于VLD分压保护区，截止环保护区环绕包围VLD分压保护区，截止环保护区包括第一导电类型截止环和第二导电类型截止环，第一导电类型截止环位于第二导电类型截止环内部，掺杂浓度均比漂移区浓度高；第二电极与半导体基板的背面相连；所述第一导电类型的截止环位于第二导电类型的截止环内部，其浓度远大于漂移区浓度；当第一电极、第二电极之间的反向偏置电压上升时，耗尽层从VLD分压保护区与第一导电类型的漂移区界面逐渐向第二导电类型截止环内扩展，整个VLD分压保护区承受了90％以上的反向电压；第二导电类型截止环的掺杂浓度与结深满足如下条件：当器件达到击穿电压时，第二导电类型截止环内没有完全耗尽或者穿通。
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