[发明专利]半导体结构及其制作工艺在审
| 申请号： | 201210562735.4 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103887337A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 林建良;王俞仁;颜英伟 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制作工艺。半导体结构包含有一介电层位于一基底上，其中介电层包含氮原子，且当介电层中对于基底的距离小于介电层厚度的20％时，介电层中的氮原子的浓度则小于5％。此外，本发明也提供一种半导体制作工艺，包含有下述步骤。首先，形成一介电层于一基底上。接着，原位进行二退火制作工艺于介电层，其中二退火制作工艺具有不同的通入气体以及不同的退火温度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包含有：介电层，位于一基底上，其中该介电层包含氮原子，且当该介电层中对于该基底的距离小于该介电层厚度的20％时，该介电层中的氮原子的浓度则小于5％。
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