[发明专利]一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法，该低温多晶硅薄膜晶体管包括开关薄膜晶体管与驱动薄膜晶体管，该驱动薄膜晶体管的结构由下至上依次为缓冲层、多晶硅、栅极绝缘层、栅极、介电层与钝化层，并在介电层以及绝缘层之内分别形成源极接触孔以及漏极接触孔，在源极接触孔与漏极接触孔上分别形成源极与漏极；在驱动薄膜晶体管的漏极区形成导通孔用以连接驱动有机发光器件发光的阳极材料，并在栅极和多晶硅交叠区的上方形成钝化层开孔。本发明可使同一片基板上的开关TFT和驱动TFT具有不同的S因子。

主权项

一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，其包括开关薄膜晶体管与驱动薄膜晶体管，该驱动薄膜晶体管的结构为：其底部为缓冲层，该缓冲层上设有多晶硅，该多晶硅与缓冲层上包覆有栅极绝缘层，该栅极绝缘层上设有栅极，该栅极与栅极绝缘层上包覆有介电层，并在介电层以及绝缘层之内分别形成源极接触孔以及漏极接触孔，在源极接触孔与漏极接触孔上分别形成源极与漏极，在驱动薄膜晶体管的最上方设有包覆源极、漏极与介电层的钝化层；该驱动薄膜晶体管的漏极区形成导通孔用以连接驱动有机发光器件发光的阳极材料，并在栅极和多晶硅交叠区的上方形成钝化层开孔。