[发明专利]一种利用淡水底栖硅藻培育泥鳅水花苗的方法有效

专利信息
申请号: 201210561098.9 申请日: 2012-12-21
公开(公告)号: CN103004662A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 胡廷尖;李倩;刘士力;王雨辰;林峰 申请(专利权)人: 浙江省淡水水产研究所
主分类号: A01K61/00 分类号: A01K61/00;A23K1/18
代理公司: 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 代理人: 裴金华
地址: 313000 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种泥鳅饵料及其用于培育泥鳅的方法,主要是涉及一种利用淡水底栖硅藻培育泥鳅水花苗的方法,属于泥鳅水花苗培育领域。一种淡水利用底栖硅藻培育泥鳅水花苗的方法,它依次包括以下步骤:原种培养、一级培养、二级培养、收集提取培养和培育使用。本发明泥鳅水花苗饵料底栖硅藻生产成本低、生产工艺简单,用该泥鳅水花苗饵料培养出的泥鳅花苗不仅生长率和存活率高,而且泥鳅水花苗生长、存活的稳定性高。
搜索关键词: 一种 利用 水底 硅藻 培育 泥鳅 水花 方法
【主权项】:
一种利用淡水底栖硅藻培育泥鳅水花苗的方法,其特征在于:它依次包括以下步骤:    原种培养:采集底栖硅藻并将其放入直径为12厘米的培养皿中培养14‑16天;一级培养:将原种培养后的底栖硅藻装入一级培养容器中培养18‑22天,并向所述一级培养容器中加入1/2培养液;所述1/2培养液为含N、P、Fe、Si元素的营养盐和水配置而成;所述营养盐由NH4NO3 、KH2PO4、FeC6H5O7和Na2SiO3组成,其中N、P、Fe、Si元素的质量比为12:1:0.1:0.15,N元素在所述1/2培养液中的浓度为5‑7mg/L;所述一级培养时培养温度为19~23℃ ,光照强度为2500‑3500lx,光周期为12L/12D,盐度为0.5‑1.5%,pH为6.5‑8.5;所述一级培养时需每天更换占所述一级培养容器体积18‑22%的所述1/2培养液;二级培养:先将附片6‑10片纵横交叉并捆绑后均匀摆放在已经用消毒液清洗干净并加入了所述1/2培养液的二级培养容器中,然后将所述一级培养后的底栖硅藻液均匀泼洒于所述二级培养容器中;所述二级培养时培养温度为19~23℃ ,光照强度为2500‑3500lx,光周期为12L/12D,盐度为0.5‑1.5%,pH为6.5‑8.5;所述二级培养时需每天更换占所述二级培养容器体积18‑22%的1/2培养液;培养第4天时更换所述二级培养容器中的全部1/2培养液,并开始使用全培养液培养且从使用全培养液培养起第二天起每天更换占所述二级培养容器体积18‑22%的全培养液;所述全培养液为含N、P、Fe、Si元素的营养盐和水配置而成;所述营养盐由NH4NO3 、KH2PO4、FeC6H5O7和Na2SiO3组成;所述营养盐中N、P、Fe、Si元素的质量比为12:1:0.1:0.15,其中,N元素在所述1/2培养液中的浓度为11‑13mg/L;所述二级培养培养7天后每隔一周更换所述二级培养容器中的全部培养液;收集提取:当二级培养的所述底栖硅藻密度达到l.0×106~2.0×106cells/mL时即可收集提取;培育使用:按每平方米收集提取的底栖硅藻饲养0.8万尾泥鳅水花苗的比例将收集提取的底栖硅藻投入饲养有泥鳅水花苗密度为0.8万尾/m2的水体中;所述底栖硅藻投入池塘之前先用水冲洗。
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