[发明专利]一种晶圆研磨抛光方法在审
| 申请号： | 201210557494.4 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103878678A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 夏金伟;张中连;龚小春;顾军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/02 | 分类号： | B24B37/02;B24B53/017 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种晶圆研磨抛光方法，用于在钨化学金属研磨工艺中实现钨触点突出晶圆表面，其包含以下步骤：1、研磨液管路和研磨台表面进行冲洗；2、研磨垫进行研磨修整以保证研磨垫的稳定性能，并喷射氮气保证研磨垫表面干净；3、研磨液由去离子水切换为研磨液；4、研磨液预流出，使得在进行主要的抛光工艺前研磨液已经布满研磨垫；5、持续供应研磨液，研磨头压在研磨垫上并加背压的方式进行氧化物抛光工艺；6、研磨头保持不动，晶圆受力由背压的状态转为真空，提供的研磨液切换为去离子水；7、采用去离子水研磨，对晶圆进行研磨抛光同时去除晶圆表面残留的研磨液。本发明省去进行研磨抛光工艺时研磨头抬升和下降的步骤，减少晶圆加工时间，提高设备工作效率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 研磨 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆研磨抛光方法，其用于在钨化学金属研磨工艺中实现钨触点突出晶圆表面，其特征在于，该方法包含以下步骤：步骤1、采用去离子水对研磨液管路和研磨台表面进行冲洗；步骤2、研磨垫进行研磨修整以保证研磨垫的稳定性能，并喷射氮气保证研磨垫表面干净 ；步骤3、研磨液管路切换，由去离子水切换为研磨液；步骤4、研磨液预流出，使得在进行主要的抛光工艺前研磨液已经布满研磨垫；步骤5、持续供应研磨液，研磨头压在研磨垫上并加背压的方式进行氧化物研磨工艺步骤6、研磨头保持不动，晶圆受力由背压的状态转为真空，提供的研磨液切换为去离子水；步骤7、采用去离子水研磨，对晶圆进行研磨抛光同时去除晶圆表面残留的研磨液。
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