[发明专利]片式铂热敏电阻器制作方法

摘要

本发明属于电阻制造技术领域，具体公开了一种片式铂热敏电阻器制作方法，包括表背电极制作、电阻体制作、激光调阻、包封、裂片、烧结、端涂、电镀，具体制作步骤在于，设计迷宫图形，制作阻挡层阳图，通过磁控溅射工艺在陶瓷基板表面形成一层铂薄膜，最后通激光调阻将铂电阻的阻值调整到目标阻值，最后经过切条、分割、测试、封装等工艺形成铂薄膜电阻温度传感器成品。该制作方法制作的片式铂热敏电阻器具有精度高、稳定性好、可靠性高、应用温度范围广等特点，不仅广泛应用于工业测温，而且被制成各种标准温度计供计量和校准使用。

主权项

一种片式铂热敏电阻器制作方法，包括表电极制作、电阻体制作、激光调阻、包封、裂片、烧结、端涂、电镀，其特征在于：具体制作方法如下，1）、选取氧化铝陶瓷基片，按常规方法使用三氯乙烷、无水乙醇对氧化铝陶瓷基片进行抛光打磨、清洗，要求氧化铝陶瓷基片的表面粗糙度小于50纳米，干燥；2）、铂薄膜的沉积，采用溅射镀膜的方式制备Pt薄膜，靶材为纯铂金，溅射过程中充入1～5sccm的氮气和100sccm的氩气，溅射功率500～900瓦，溅射时间20～60分钟；3）、铂薄膜热处理，磁控溅射,正离子冲击靶面,溅出铂原子淀积在基片上,经过晶粒的形成、长大、晶核合并、沟道和空洞的四个阶段,形成了连续膜；通过热处理,将薄膜由介稳状态转变到隐定状态，消除空位、位错、净利间界缺陷，降低薄膜的ρ,增大TCR，排除膜中部分气态、固态杂质；4）、光刻，采用常规方法进行涂胶、前烘、曝光、显影、硬烘、刻蚀、去胶，将设计在掩膜版上的阻挡层阳图通过干法蚀刻转移到铂薄膜上，要求薄膜铂电阻阻值控制在90%～95%范围内；5）、Au电极制作，使用溅射镀膜的方式制作纯金电极，用于焊接引线和电路连接；6）、激光调阻，用常规方法对电阻体进行S形切割，调阻精度控制在±0.04%以内；7）、引线焊接和包封，经过点焊接进行引线焊接，玻璃釉保护层制备印刷，烘干，烧结工艺，完成包封；8）、划片，用常规方法将整版按单元尺寸划成单片；9）、按照常规方法进行老化。