[发明专利]掩模板、曝光设备最佳焦距的监控方法有效
申请号: | 201210556659.6 | 申请日: | 2012-12-20 |
公开(公告)号: | CN103076715B | 公开(公告)日: | 2017-08-08 |
发明(设计)人: | 谭露璐;赵新民;金乐群;周孟兴 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/44 | 分类号: | G03F1/44;G03F7/20 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种掩模板、最佳焦距的监控方法,其中,所述掩模板包括基板;位于基板上的监控图形,所述监控图形包括正方形本体和位于正方形本体的四周侧壁的矩形凸起部,所述矩形凸起部为若干平行的光栅条。采用所述掩模板进行最佳焦距的监控时,提高了监控的精度。 | ||
搜索关键词: | 模板 曝光 设备 最佳 焦距 监控 方法 | ||
【主权项】:
一种曝光设备最佳焦距的监控方法,其特征在于,包括:提供具有监控图形的掩模板,所述掩模板包括基板;位于基板上的监控图形,所述监控图形包括正方形本体和位于正方形本体的四周侧壁的矩形凸起部,所述矩形凸起部为若干平行的光栅条;提供待曝光晶圆,所述待曝光晶圆上形成有光刻胶层;对待曝光晶圆进行曝光之前,对曝光设备进行自动校准,获得曝光设备的第一最佳焦距;以不同的焦距对所述待曝光晶圆进行曝光形成若干个曝光区,将掩模板上的监控图形转移到每一个曝光区,在每一个曝光区形成相应的光刻胶图形;测量每一个曝光区中光刻胶图形的特征尺寸,获得特征尺寸最大值,对特征尺寸最大值对应的曝光区进行曝光时的焦距作为第二最佳焦距;获得第一最佳焦距和第二最佳焦距的差值,所述差值作为焦距的偏移值,若焦距的偏移值位于偏移值的基准阈值范围内时,则曝光设备聚焦稳定,若否,则曝光设备的聚焦不稳定,其中,所述偏移值的基准阈值范围为:偏移值的基准值‑(0.5~2)×偏移值的基准值~偏移值的基准值+(0.5~2)×偏移值的基准值。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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