[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

公开了一种半导体器件和用于制作半导体器件的方法。一种示例性半导体器件包括包含有源区域的半导体衬底，有源区域包括多个器件区域。半导体衬底还包括：第一器件，设置于多个器件区域中的第一器件区域中，第一器件包括第一栅极结构、在第一栅极结构的侧壁上设置的第一栅极间隔件以及第一源极和漏极部件。半导体衬底还包括：第二器件，设置于多个器件区域中的第二器件区域中，第二器件包括第二栅极结构、在第二栅极结构的侧壁上设置的第二栅极间隔件以及第二源极和漏极部件。第二和第一源极和漏极部件具有公共的源极和漏极部件以及接触部件。共同接触部件是自对准接触件。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，包括有源区域，所述有源区域包括多个器件区域；第一器件，设置于所述多个器件区域中的第一器件区域中，所述第一器件包括第一栅极结构、设置在所述第一栅极结构的侧壁上的第一栅极间隔件以及第一源极和漏极部件；第二器件，设置于所述多个器件区域中的第二器件区域中，所述第二器件包括第二栅极结构、设置在所述第二栅极结构的侧壁上的第二栅极间隔件以及第二源极和漏极部件，所述第一源极和漏极部件与所述第二源极和漏极部件具有公共源极和漏极部件；以及接触部件，设置于所述公共源极和漏极部件上，所述接触部件与所述公共源极和漏极部件电接触。