[发明专利]一种清洁等离子体反应腔侧壁的方法

摘要

本发明公开了一种清洁等离子体反应腔侧壁的方法，调整射频功率源的脉冲输出为第一射频功率和第二射频功率，第一射频功率可以电离含氧的清洁气体为氧正离子和氧自由基，所述氧正离子和所述氧自由基与反应腔侧壁的聚合物进行反应，对反应腔侧壁进行清洁。第二射频功率低于第一射频功率，电离率较低或不对清洁气体进行电离，故氧正离子消失或以较小的浓度存在，由于氧自由基的存在时间较长，小于等于10ms，故不会随着射频功率源的降低而即刻消失，氧自由基可以对反应腔侧壁进行清洁并且不会对静电吸盘造成损伤；本发明在不影响清洁效率的同时，减少了静电吸盘暴露在具有物理轰击作用的氧正离子下的时间，延长了静电吸盘的使用寿命。

主权项

一种清洁等离子体反应腔侧壁的方法，其特征在于：所述方法包括：第一步骤：在反应腔内通入含氧的清洁气体，调节等离子体反应室的射频功率至第一射频功率，含氧的清洁气体在第一射频功率的作用下电离形成氧正离子和氧自由基等粒子；第二步骤：调节等离子体反应室的射频功率至第二射频功率，所述第二射频功率低于所述第一射频功率，所述含氧的清洁气体不再电离或者电离较少的氧离子和氧自由基，所述氧离子消失或以较小浓度存在，所述第一步骤和所述第二步骤交替进行。