[发明专利]一种掩模对准信号的归一化方法有效
申请号: | 201210553094.6 | 申请日: | 2012-12-19 |
公开(公告)号: | CN103885283B | 公开(公告)日: | 2017-06-27 |
发明(设计)人: | 李运锋 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F9/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提出一种掩模对准信号的归一化方法,其特征在于,引入一归一化系数,以消除由于归一化标记通道的响应曲线与分支标记通道的响应特性的不一致性,实现掩模对准信号较好的归一化;所述归一化公式为式中,下标i表示第i次光强采样,下标j表示第j个分支标记,为分支标记j的第i次光强采样数据,为分支标记j的暗电流,为归一化标记的暗电流,为归一化标记的第i次光强采样数据,为第j个分支标记第i次光强采样的归一化系数,为分支标记j的经归一化后的第i次光强数据。 | ||
搜索关键词: | 一种 对准 信号 归一化 方法 | ||
【主权项】:
一种掩模对准信号的归一化方法,其特征在于,引入一归一化系数βj,i,以消除由于归一化标记通道的响应曲线与分支标记通道的响应特性的不一致性,实现掩模对准信号较好的归一化;所述归一化公式为:Ij,i=βj,iIgj,i-dgjIri-dr]]>式中,下标i表示第i次光强采样,下标j表示第j个分支标记,Igj,i为分支标记j的第i次光强采样数据,dgj为分支标记j的暗电流,dr为归一化标记的暗电流,Iri为归一化标记的第i次光强采样数据,βj,i为第j个分支标记第i次光强采样的归一化系数,Ij,i为分支标记j的经归一化后的第i次光强数据;获得所述归一化系数βj,i的方法包括如下步骤:步骤1.将标记定位到空间像恰好被集成传感器探测的边缘;步骤2.在激光脉冲照射下,多次获取此位置处归一化标记探测到的光强数据的Irn和平均值同时多次获得各分支标记的探测到的光强数据Igj,n和平均值j表示第j个分支标记,n表示第n次采样;步骤3.计算此位置处的各分支标记的原始归一化系数βraw,j,并组成该位置下各分支标记平均光强与原始归一化系数数据对,即步骤4.移动工件台,使得标记到新的位置,重复步骤2和步骤3,获得新位置下各分支标记平均光强与原始归一化系数数据对;步骤5.重复步骤4,直到标记的成像完全脱离集成传感器探测区域,即可获得各位置处对应的各分支标记的平均光强与原始归一化系数数据对;步骤6.采用多项式模型,对各分支标记的不同位置处的平均光强与原始归一化系数数据对进行拟合,获取多项式模型的系数;步骤7.获得多项式模型的系数后,由该模型,求取各分支标记的不同光强采样的归一化系数βj,i。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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