[发明专利]形成介电薄膜的组合物、形成介电薄膜的方法及通过所述方法形成的介电薄膜有效
| 申请号： | 201210552098.2 | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103177797B | 公开（公告）日： | 2017-10-10 |
| 发明（设计）人： | 渡边敏昭;樱井英章;曽山信幸;纪尧姆·盖冈 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社;意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01B3/02 | 分类号： | H01B3/02;H01B19/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人： | 康泉,王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种混合的复合金属氧化物形式的用于形成薄膜的液体组合物，其中，所述复合金属氧化物由包含铜(Cu)的复合氧化物B和包含锰(Mn)的复合氧化物C混合到由通式Ba1‑xSrxTiyO3表示的复合金属氧化物A中而形成，其中，复合氧化物B与复合金属氧化物A的摩尔比B/A在0.002＜B/A＜0.05的范围内，且复合氧化物C与复合金属氧化物A的摩尔比C/A在0.002＜C/A＜0.03的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 薄膜 组合 方法 通过 | ||
【主权项】：
一种用于形成介电薄膜的组合物，所述介电薄膜为钛酸锶钡介电薄膜，所述用于形成介电薄膜的组合物包括：用于形成薄膜的混合的复合金属氧化物形式的液体组合物，其中，所述复合金属氧化物由包含铜(Cu)的复合氧化物B和包含锰(Mn)的复合氧化物C混合到由通式Ba1‑xSrxTiyO3表示的复合金属氧化物A中而形成，在该通式中，0.2＜x＜0.6，并且0.9＜y＜1.1；其中，所述液体组合物由有机金属化合物溶液组成，其中，用于组成所述复合金属氧化物A的原料、用于组成所述复合氧化物B的原料和用于组成所述复合氧化物C的原料溶于有机溶剂中，其中用于组成所述复合金属氧化物A的原料以得到上述通式中表明的金属原子比的比例溶于有机溶剂中，所述复合氧化物B与所述复合金属氧化物A的摩尔比B/A在0.002＜B/A＜0.05的范围内，并且所述复合氧化物C与所述复合金属氧化物A的摩尔比C/A在0.002＜C/A＜0.03的范围内。
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