[发明专利]氯碱工业用低电阻高强度离子交换膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210545793.6 申请日: 2012-12-14
公开(公告)号: CN102978654A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 王学军;于昌国;董辰生;张恒 申请(专利权)人: 山东东岳高分子材料有限公司
主分类号: C25B1/46 分类号: C25B1/46;C25B13/08;C25B13/02;C08J5/22
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 代理人: 王绪银
地址: 256401*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种氯碱工业用低电阻高强度离子交换膜及其制备方法。该膜是由全氟磺酸离子交换树脂层、全氟羧酸离子交换树脂层、增强网布和气体释放涂层组成的多层复合膜;其中,厚度80-150微米的全氟磺酸树脂层和厚度8-12微米的全氟羧酸树脂层构成全氟离子交换树脂基膜,基膜的两外侧表面均有3-12微米厚度的气体释放涂层;增强纤维网布置于全氟磺酸树脂层内,全氟磺酸树脂层内还有纳米孔道和纳米空穴。该膜可以通过熔融共挤出或多层热压复合的工艺制备。该膜可以用于氯碱工业的离子交换膜,具有较好的机械性能和电化学性能。
搜索关键词: 工业 电阻 强度 离子交换 及其 制备 方法
【主权项】:
一种氯碱工业用低电阻高强度离子交换膜,该膜是由全氟磺酸离子交换树脂层、全氟羧酸离子交换树脂层、增强网布和气体释放涂层组成的多层复合膜;其中,厚度80‑150微米的全氟磺酸树脂层和厚度8‑12微米的全氟羧酸树脂层构成全氟离子交换树脂基膜,基膜的两外侧表面均有3‑12微米厚度的气体释放涂层;增强纤维网布置于全氟磺酸树脂层内,全氟磺酸树脂层内还有纳米孔道和纳米空穴。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东东岳高分子材料有限公司,未经山东东岳高分子材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210545793.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top