[发明专利]一种LED芯片封装结构及制作方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201210545538.1 申请日: 2012-12-14
公开(公告)号: CN103000780A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 郑卫新;马国恒;杨东升;乔中莲 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方茶谷电子有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;H01L33/00;G09F9/33
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;安利霞
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种LED芯片封装结构及制作方法、显示装置,通过在LED芯片单元的侧边形成导电单元,且导电单元包括形成于LED芯片单元中第一电极侧边,与第一电极电连接的第一导电层;形成于LED芯片单元中第二电极侧边,与第二电极电连接的第二导电层;形成于LED芯片单元中氮化镓层侧边的中间隔离层。从而在横向上使LED芯片单元和导电单元连成整体的电连接通道,省去了传统LED中用于导电通道的焊接金线,降低了LED芯片器件的总厚度,提高了LED芯片的导热效果、增加整体稳定性,改善了LED芯片表面的出光效果。
搜索关键词: 一种 led 芯片 封装 结构 制作方法 显示装置
【主权项】:
一种LED芯片封装结构,其特征在于,包括:LED芯片单元,以及导电单元;其中,所述LED芯片单元中,形成有第一电极、氮化镓层以及第二电极,且所述氮化镓层形成于在所述第一电极和第二电极之间,所述第一电极形成于所述氮化镓层之上;所述导电单元包括:形成于所述第一电极侧边,与所述第一电极电连接的第一导电层;形成于所述第二电极侧边,与所述第二电极电连接的第二导电层;形成于所述氮化镓层侧边的中间隔离层,所述中间隔离层位于所述第一导电层和第二导电层之间。
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