[发明专利]光学半导体装置用基台、其制造方法以及光学半导体装置有效

专利信息
申请号: 201210544701.2 申请日: 2012-12-14
公开(公告)号: CN103165794A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 后藤涉;塩原利夫;深泽博之 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/64;H01L33/54
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 宋晓宝;郭晓东
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供光学半导体装置用基台及制造方法,用于实现机械性稳定且高耐久性、高散热性的光学半导体装置。一种光学半导体装置用基台的制造方法,光学半导体装置用基台具有多个晶片载持部,用于载持半导体晶片;多个信号连接部,电性连接于被载持的半导体晶片并向外部提供电极部;具有:准备金属框架的工序,金属框架形成有多个晶片载持部与信号连接部,信号连接部具有厚度小于多个晶片载持部的厚度的部分;制造光学半导体装置用基台的工序,以使多个晶片载持部的表面和背面同时露出且信号连接部的至少一面露出的方式,利用树脂填埋除已形成于金属框架上的多个晶片载持部与信号连接部之外的部分,且将光学半导体装置用基台形成为板状。
搜索关键词: 光学 半导体 装置 用基台 制造 方法 以及
【主权项】:
一种光学半导体装置用基台的制造方法,是制造光学半导体装置用基台的方法,所述光学半导体装置用基台具有多个晶片载持部,用于载持半导体晶片;及,多个信号连接部,电性连接于前述被载持的半导体晶片,并向外部提供电极部;其中,所述光学半导体装置用基台的制造方法的特征在于具有以下工序:准备金属框架的工序,所述金属框架形成有前述多个晶片载持部与前述信号连接部,该信号连接部具有厚度小于该多个晶片载持部的厚度的部分;及,制造前述光学半导体装置用基台的工序,以使前述多个晶片载持部的表面和背面同时露出,且前述信号连接部的至少一面露出的方式,利用树脂填埋除已形成于前述金属框架上的前述多个晶片载持部与信号连接部之外的部分,且将所述光学半导体装置用基台形成为板状。
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