[发明专利]一种纳米碳化硅晶须的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210544139.3 申请日: 2012-12-17
公开(公告)号: CN103014828A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 张亮 申请(专利权)人: 张亮
主分类号: C30B1/10 分类号: C30B1/10;C30B29/36;C30B29/62;C01B31/36
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 韩玙
地址: 721006 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种纳米碳化硅晶须的制备方法,主要以稻壳灰、炭黑和聚四氟乙烯为原料,按一定比例混合形成反应剂,将反应剂研磨,得到混合浆体,烘干后研磨成粉体,然后经过整体预热的燃烧合成反应得到反应产物,最后将反应产物经过除碳、除硅,得到纳米碳化硅晶须,本发明的制备方法制备纳米碳化硅晶须的转化率高,并且工艺简单,生产成本低;本发明的制备方法制备出的碳化硅晶须具有低密度、高熔点、高强度、高模量、热膨胀系数小及耐腐蚀、耐磨等特点,可广泛应用于机械、电子、航空航天及能源等领域。
搜索关键词: 一种 纳米 碳化硅 制备 方法
【主权项】:
一种纳米碳化硅晶须的制备方法,其特征在于:具体包括以下步骤:步骤1,将稻壳灰和炭黑混合形成混合原料;步骤2,将聚四氟乙烯与步骤1的混合原料充分混合形成反应剂;步骤3,将步骤2形成的反应剂置于球磨罐中,并在球磨机上研磨12~18小时,得到混合浆体;步骤4,将步骤3得到的混合浆体装于玻璃皿中并放入烘箱中,以100~180℃的烘干温度将混合浆体烘干,得到干燥的混合物料;步骤5,将步骤4得到的混合物料在研钵中研磨成粉体,将该粉体放入坩埚中,并将坩埚放入自蔓延燃烧合成反应釜的冷区,将反应釜抽真空后充入氮气至适当压力,将自蔓延燃烧合成反应釜的热区加热升温至一定温度,将位于冷区的坩埚推至热区引发自蔓延燃烧合成反应,将反应釜热区保温一定时间后,停止通入氮气,冷却至室温后得到反应产物,将该反应产物除碳,除硅,得到纳米碳化硅晶须。
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