[发明专利]一种带FS层的PT型功率器件的制作方法有效
| 申请号： | 201210543954.8 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103871852B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 吴振兴;朱阳军;胡爱斌;卢烁今;田晓丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/265;H01L21/331;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及制作方法技术领域，公开了一种带FS层的PT型功率器件的制作方法包括步骤一制备衬底；步骤二从衬底外延出第一N型FS层；步骤三对第一N型FS层进行局域寿命控制；步骤四重复步骤二和步骤三，从第一N型FS层外延出多个N型FS层，且N型FS层的掺杂浓度逐层下降，局域寿命控制注入的剂量也逐层下降，使N型FS层的缺陷浓度也逐层下降；步骤五在N型FS层上外延出N漂移区；步骤六制备PT型功率器件的正面结构，再对PT型功率器件的背面减薄，并与金属层形成欧姆接触。本发明经过多次外延N型FS层形成一个浓度渐变的厚FS层区域，成功避免了理想FS型功率器件的超薄片制备过程，大大降低了碎片等风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 fs pt 功率 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种带FS层的PT型功率器件的制作方法，其特征在于，包括：步骤一：制备衬底；步骤二：从所述衬底外延出第一N型FS层；步骤三：对所述第一N型FS层进行局域寿命控制；步骤四：重复所述步骤二和所述步骤三，从第一N型FS层外延出多个N型FS层，且N型FS层的掺杂浓度逐层下降，所述局域寿命控制注入的剂量也逐层下降，使N型FS层的缺陷浓度也逐层下降；步骤五：在N型FS层上外延出N‑漂移区；步骤六：制备PT型功率器件的正面结构，再对所述PT型功率器件的背面减薄，并与金属层形成欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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