[发明专利]一种硅碳氮吸波陶瓷基复合材料的制备方法

摘要

本发明涉及一种硅碳氮吸波陶瓷基复合材料的制备方法，经CVD/CVI技术，在适合的温度范围内，采用SiCl4、SiHCl3或其它氯硅化物、硅烷作为硅源，CH4、C3H6、C2H2或其它烷烃、烯烃、炔烃作为碳源，NH3或N2作为氮源，H2作为载气与反应气体，Ar作为稀释气体，在基底材料上原位合成SiCN，获得了均匀致密、无杂质、组分和吸波性能可设计的SiCN基体和涂层。本发明克服现有技术制备CFCC-SiC吸波性能不高的不足，同时便于实现所制备的吸波基体的组分、渗透性、厚度以及吸波性能的控制。

主权项

一种硅碳氮吸波陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于步骤如下：步骤1：将多层纤维布按0°和90°方向编织成二维结构，采用石墨夹具夹持形成预制体；所述纤维布为碳纤维或其他陶瓷纤维等。步骤2：将预制体悬挂于真空炉，处于炉内等温区中心位置，采用CVD/CVI法沉积预制体得到氮化硅透波陶瓷基体，制备过程中：先驱体为硅源、碳源、氮源、H2载气、H2稀释及Ar，反应温度为700～1200℃，保温时间为8～200小时，炉内压力为0～5000Pa；所述氮源N与硅源Si的摩尔比为0～5，碳源C与硅源Si的摩尔比为0～5，H2总量与硅源Si的摩尔比为5～40，Ar与硅源Si的摩尔比为5～40。