[发明专利]高压LDMOS器件的等效电路及仿真方法在审
| 申请号： | 201210536915.5 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103870618A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 武洁 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压LDMOS器件的等效电路及仿真方法，高压LDMOS器件结构中，轻掺杂漂移区的衬底电流与传统的本征MOSFET有明显差异，标准SPICE BSIM3模型无法准确模拟高压LDMOS轻掺杂漂移区的衬底电流，本发明通过外接电流源及源漏等效电阻，以精确模拟轻掺杂漂移区的碰撞电离电流，提高了仿真精度，缩短了电路设计周期。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 ldmos 器件 等效电路 仿真 方法 | ||
【主权项】：
一种高压LDMOS器件的等效电路，包含一基本MOSFET，其特征在于：所述高压LDMOS器件的等效电路包含：MOSFET的漏极，连接第一电阻的第一端；MOSFET的源极，连接第二电阻的第一端；一电流源的两端分别连接第一电阻的第二端及MOSFET的源极；所述MOSFET的栅极、第一电阻的第二端、第二电阻的第二端分别是整个高压LDMOS器件等效电路的栅极、漏极、源极。
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