[发明专利]一种使用普通沙料的单晶硅晶圆片背损伤加工方法

摘要

本发明涉及一种使用普通沙料的单晶硅晶圆片背损伤加工方法。其步骤是：一、配制砂浆溶液：按重量百分比取15%的TWA-5沙料与去离子水进行配制。二、采用背损伤喷砂机进行加工，喷枪压力为0.15-0.45MPa，X方向喷砂速度为300-500mm/s，Y方向喷砂速度为20-40mm/s。三、在喷砂过程中，采用干冰进行吹扫，吹扫流量为24-28sccm，使硅晶圆片表面温度在喷砂过程瞬间中降至-10至6℃。四、经过背损伤的硅晶圆片清洗后进行检测。本发明是利用普通#1500沙料替代#3000沙料，在喷砂时同时喷洒干冰，瞬间降低表面温度，降低硅晶圆片表面局部的吸收功，使沙料对硅晶圆片形成更深更广阔的损伤；使硅晶圆片不会因脆性增加而破碎。在喷砂过程中实现了高效率，高质量，节约了成本，提高了生产效率。

主权项

一种使用普通沙料的单晶硅晶圆片背损伤加工方法，其特征在于，包括如下方法步骤：一、配制砂浆溶液：按重量百分比取15%的TWA‑5沙料与去离子水进行配制；二、采用背损伤喷砂机进行加工，喷枪压力为0.15‑0.45MPa，X方向喷砂速度为300‑500mm/s，Y方向喷砂速度为20‑40mm/s；三、在喷砂过程中，采用干冰进行吹扫，吹扫流量为24‑28sccm，使硅晶圆片表面温度在喷砂过程瞬间中降至‑10至6℃；四、经过背损伤的晶圆片清洗后进行检测。