[发明专利]一种金属铝基氮化铝封装基板及其制备方法有效
| 申请号： | 201210533907.5 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103035585A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 王文峰;张军;李明鹤;彭雷 | 申请（专利权）人： | 武汉铂岩科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L23/373;H01L21/48;C23C28/02;C25D11/02 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 黄挺 |
| 地址： | 430200 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属铝基氮化铝封装基板及其制备方法，属于微电子材料领域。该封装基板包括一金属铝基底，在金属铝基底表面形成的多孔型阳极氧化铝膜，和在阳极氧化铝膜表面形成的氮化铝薄膜，其中阳极氧化铝膜的孔隙率由金属铝基底到氮化铝薄膜方向逐渐降低。该封装基板的制备方法是以金属铝为基底，在铝的一面进行阳极氧化产生一层多孔型阳极氧化铝膜，然后在阳极氧化铝膜上真空沉积氮化铝薄膜。本发明的金属铝基氮化铝封装基板，通过对金属铝基底进行阳极氧化处理，在铝基底与氮化铝薄膜之间形成一层热膨胀系数渐变的阳极氧化铝热应力缓冲层，显著改善了抗热冲击能力，在300℃热冲击下无开裂现象，能更好地应用于半导体芯片封装的后续工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氮化 封装 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属铝基氮化铝封装基板，其特征在于，该封装基板包括一金属铝基底，在金属铝基底表面形成的多孔型阳极氧化铝膜，和在阳极氧化铝膜表面形成的氮化铝薄膜，其中阳极氧化铝膜的孔隙率由金属铝基底到氮化铝薄膜方向逐渐降低。
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