[发明专利]深紫外氟化物薄膜元件污染物吸附能力的分析方法有效

专利信息
申请号: 201210532854.5 申请日: 2012-12-11
公开(公告)号: CN103018206A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 金春水;靳京城;李春;邓文渊;常艳贺 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: G01N21/47 分类号: G01N21/47;G01N21/59
代理公司: 长春菁华专利商标代理事务所 22210 代理人: 南小平
地址: 130033 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 深紫外氟化物薄膜元件污染物吸附能力的分析方法,属于深紫外光学技术应用领域,该方法包括一:测试氟化物薄膜样品在镀制完成之初的反射率R0或透过率T0;二:氟化物薄膜样品在放置于应用环境系统中使用或存储一段时间后,测试样品吸附有机物和水汽后的反射率R1或透过率T1;三:用ArF准分子激光器对样品表面进行低功率能量密度辐照,整个光路系统中吹扫干燥的高纯N2,同时用能量计监测透射激光能量;四:对ArF准分子激光器激光辐照后的样品进行步骤一所述的光谱测试,得到经激光辐照后样品的反射率R2或透过率T2;五:当测试值为透过率T时,由η=η1+η2 =(T2-T1)/T1+(T0-T2)/T0运算吸附因子η。
搜索关键词: 深紫 氟化物 薄膜 元件 污染物 吸附 能力 分析 方法
【主权项】:
深紫外氟化物薄膜元件污染物吸附能力的分析方法,其特征是,包括以下步骤:步骤一:利用真空分光光度计在整个腔体吹扫干燥高纯N2的条件下,测试氟化物薄膜样品在镀制完成之初的反射率R0或透过率T0,作为氟化物薄膜样品光谱性能初始值;步骤二:氟化物薄膜样品在放置于应用环境系统中使用或存储一段时间后,将样品放置于真空分光光度计内进行真空环境中光谱测试,得到样品吸附有机物和水汽后的光谱指标反射率R1或透过率T1;步骤三:用ArF准分子激光器对样品表面进行低功率能量密度辐照,整个光路系统中吹扫干燥的高纯N2,同时用能量计监测透射激光能量;步骤四:对ArF准分子激光器激光辐照后的样品,进行步骤一所述的同样的光谱测试, 得到经激光辐照后样品的反射率R2或透过率T2;步骤五:当测试值为透过率T时,η=η1+η2 =(T2‑T1)/T1+(T0‑T2)/T0,式中η为吸附因子,η1 =(T2‑T1)/T1为元件经过ArF激光辐照后污染物吸附的可恢复部分,η2 =(T0‑T2)/T0为元件经过ArF激光辐照后污染物吸附的不可恢复部分,对样品在使用环境中的吸附因子η进行运算,进而对薄膜元件在使用环境中对有机物污染物和水汽吸附能力进行评估。
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