[发明专利]高击穿电压的双栅极半导体器件

摘要

一种双栅极半导体器件提供如下高击穿电压，该击穿电压允许对功率应用有用的输出电压的大的偏移。该双栅极半导体器件可以视为包括MOS栅极和结栅极的双栅极器件，其中结栅极的偏置可以是MOS栅极的栅极电压的函数。双栅极半导体器件的击穿电压是MOS栅极和结栅极的击穿电压之和。由于单独的结栅极具有本征高击穿电压，所以双栅极半导体器件的击穿电压大于单独的MOS栅极的击穿电压。双栅极半导体器件与常规晶体管器件相比除了在更高功率水平的可操作性之外还提供改进的RF能力。

主权项

一种器件，包括：衬底；形成在所述衬底内的源区域；第一栅极，包括介电层，设置在所述衬底上并且在所述衬底内形成的、毗邻所述源区域的沟道区域上方，以及导电栅极层，设置在所述介电层上；阱区域，形成在所述衬底内并且包括：漏区域，形成在所述阱区域内，以及第二栅极，形成在所述阱区域内、所述漏区域和所述第一栅极之间；以及导电路径，在所述沟道区域和所述阱区域之间，所述导电路径包括所述阱内的第一掺杂区域、所述阱外并且毗邻所述沟道的第二掺杂区域、以及设置在所述衬底上且与所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域接触的导电层。