[发明专利]吡啶鎓盐聚合物阴离子交换膜及其制备方法无效
申请号: | 201210528724.4 | 申请日: | 2012-12-10 |
公开(公告)号: | CN102945975A | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | 方军;伍永彬 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | H01M8/02 | 分类号: | H01M8/02;H01M2/16 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361005 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 吡啶鎓盐聚合物阴离子交换膜及其制备方法,涉及离子交换膜。提供一种具有高电导率、良好的化学稳定性和热稳定性的吡啶鎓盐聚合物阴离子交换膜及其制备方法。所述吡啶鎓盐聚合物阴离子交换膜的活性基团为吡啶鎓盐。1)在反应器中加入含吡啶基团的烯烃、含氟丙烯酸酯单体、溶剂、引发剂,在惰性气体的保护下,密封,回流反应,得到的产物经沉淀、洗涤、干燥后得到带吡啶基团的聚合物;2)将步骤1)所得到的聚合物溶解在有机溶剂中配制成质量百分比浓度为5%~20%的聚合物溶液,用相转化法浇铸成膜,干燥后备用;3)将步骤2)干燥后的膜浸泡在季铵化试剂中反应,取出干燥后即得到吡啶鎓盐聚合物阴离子交换膜。 | ||
搜索关键词: | 吡啶 聚合物 阴离子 交换 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.吡啶鎓盐聚合物阴离子交换膜,其特征在于其活性基团为吡啶鎓盐,吡啶鎓盐聚合物阴离子交换膜的化学结构通式如下:
其中R1为氢原子或CH3;R2为H或碳原子数≤4的烷基或苯基;R3为氢原子或CH3;E为氢原子或氟原子;F为氟原子;x为1~6的整数,y=2x或2x+1;m和n为聚合度,是整数且不为零;Y-为阴离子,如Cl-、Br-、F-、BF4-、PF6-、SO3H-、OH-中的一种。
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