[发明专利]具有低密勒电容的金氧半场效应晶体管器件及其制作方法无效
| 申请号： | 201210526150.7 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103811548A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 林永发 | 申请（专利权）人： | 茂达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率半导体器件，包含有一半导体基底，具有第一导电型；一外延层，位于所述半导体基底上且具有所述第一导电型；一离子阱，具有第二导电型且位于所述外延层中，其中所述离子阱具有一接面深度；一栅极沟槽，位于所述离子阱中且所述栅极沟槽的深度小于所述接面深度；一凹陷沟槽，位于所述栅极沟槽的底部；一栅极氧化层，位于所述栅极沟槽表面并填满所述凹陷沟槽，如此构成一尖端凸出结构；一栅极，位于所述栅极沟槽内；以及一漏极延伸区，具有所述第一导电型，介于所述栅极沟槽与所述外延层之间并紧邻所述尖端凸出结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 低密勒 电容 半场 效应 晶体管 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件，其特征在于，包含：一半导体基底，具有第一导电型；一外延层，位于所述半导体基底上；一离子阱，具有第二导电型且位于所述外延层中，其中所述离子阱具有一接面深度；一栅极沟槽，位于所述离子阱中；一凹陷沟槽，位于所述栅极沟槽的底部；一栅极氧化层，位于所述栅极沟槽表面并填满所述凹陷沟槽，如此构成一尖端凸出结构；一栅极，位于所述栅极沟槽内；以及一漏极延伸区，具有所述第一导电型，介于所述栅极沟槽与所述外延层之间且紧邻所述尖端凸出结构。
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