[发明专利]激光隔离高效晶体硅太阳电池的生产工艺

摘要

本发明涉及一种激光隔离高效晶体硅太阳电池的生产工艺，包括步骤如下：制绒、扩散，用光纤激光对扩散后的硅片表面进行划线刻槽实现PN隔离，清洗去除机械损伤层和扩散遗留的PSG，沉积氮化硅，然后丝网印刷烧结。本发明通过改变传统的激光PN隔离工艺流程，将激光隔离PN的工艺在扩散之后完成，可以精确控制刻蚀边缘，完全摆脱湿法刻蚀和传统的激光刻蚀工艺的缺陷，提高太阳电池的光电转换效率和产品的合格率。

主权项

激光隔离高效晶体硅太阳电池的生产工艺，其特征是，包括步骤如下：制绒、扩散，用光纤激光对扩散后的硅片表面进行划线刻槽实现PN隔离，清洗去除机械损伤层和扩散遗留的磷硅玻璃，沉积氮化硅，然后丝网印刷烧结。