[发明专利]一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置无效
| 申请号： | 201210499277.4 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102978584A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 粟婷;屈生双;屈宸远 | 申请（专利权）人： | 中山市创科科研技术服务有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/44 |
| 代理公司： | 中山市汉通知识产权代理事务所 44255 | 代理人： | 田子荣;石仁 |
| 地址： | 528400 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，其特征在于：包括一真空反应腔；一基片架，设于真空反应腔内，用以放置基片；一基片测温模块，设于基片架上，用以测量基片温度；一气体导入模块，与真空反应腔连接并与基片架相对，用以向真空反应腔内输送N2H4、N2和SiH4气体；一加热用催化器，设于真空反应腔内并位于气体导入模块与基片架之间，用以对输送入真空反应腔内的气体进行加热并加快各气体间的反应以形成SiN薄膜；以及一红外热温测仪，用以检测所述加热用催化器的温度。本发明结构简单，投入成本低，可大大降低企业在购买设备中产生的高昂成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用以 基片上 形成 sin 薄膜 装置 | ||
【主权项】：
一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，其特征在于：包括一真空反应腔；一基片架，设于真空反应腔内，用以放置基片；一基片测温模块，设于基片架上，用以测量基片温度；一气体导入模块，与真空反应腔连接并与基片架相对，用以向真空反应腔内输送N2H4、N2和SiH4气体；一加热用催化器，设于真空反应腔内并位于气体导入模块与基片架之间，用以对输送入真空反应腔内的气体进行加热并加快各气体间的反应以形成SiN薄膜；以及一红外热温测仪，用以检测所述加热用催化器的温度。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
