[发明专利]用于图像传感器的光电二极管及其制造方法、图像传感器无效
| 申请号： | 201210496217.7 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102945888A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 郑春生;张文广;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/102 | 分类号： | H01L31/102;H01L31/0352;H01L31/18;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于图像传感器的光电二极管及其制造方法和图像传感器，本发明的光电二极管的光入射面具有凸起，即，光入射面为非平坦表面，从而降低被反射的光线，提高光线的捕捉能力，进而提高图像传感器的填充比，最终改善图像传感器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 图像传感器 光电二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于图像传感器的光电二极管，其特征在于，所述光电二极管的光入射面具有凸起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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