[发明专利]一种氮化硅陶瓷球的制备方法无效
| 申请号： | 201210496156.4 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103058663A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 李东炬;甄恒洲 | 申请（专利权）人： | 大连大友高技术陶瓷有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/622 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 赵淑梅 |
| 地址： | 116000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化硅陶瓷球的制备方法，属于陶瓷制备领域。本发明提供一种氮化硅陶瓷球的制备方法，包括陶瓷原料制备、制坯成形、烧结和研磨抛光的步骤，所述陶瓷原料，按质量百分比，由下述组分组成：β-Si3N4：80%~95%，Al2O3：2%~15%，MgO：1%~12%，Y2O3：1%~12%，ZrO2：1%~12%。该制备方法可以实现在常压下烧结氮化硅陶瓷球，同时步骤简单、方便易行。利用该方法制备的氮化硅陶瓷强度高、致密性好、耐高温和耐磨优异，可用作球轴承的滚动体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 陶瓷球 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化硅陶瓷球的制备方法，其特征在于：包括陶瓷原料制备、制坯成形、烧结和研磨抛光的步骤，按下述工艺步骤进行： ①陶瓷原料制备：将经干燥后的陶瓷原料按比例混合均匀，过筛，将过筛后的粉料置于球磨机中球磨； ②压制成形：将步骤①所得粉料置于磨具中，采用冷等静压的方法压制成球形； ③烧结：常压下，将粉料置于模具中，在烧结炉于1600℃～1650℃，保温0.5h～2h，停止加热后随炉冷却至室温； ④研磨抛光：将所得陶瓷球进行研磨和抛光； 其中，步骤①中所述陶瓷原料，按质量百分比，由下述组分组成： ![]()
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