[发明专利]相变存储器的制作方法有效
| 申请号： | 201210492209.5 | 申请日： | 2012-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103840077A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 林静;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出相变存储器的两种制作方法以改善其相变材料剥落现象。第一种方案：在相变材料与包埋下电极的介电层之间设置TiON粘合层，利用该TiON粘合层增强介电层与相变材料之间的结合程度，因而实现了防止相变材料脱落，提高了相变存储器的可靠性。第二种方案：形成侧墙状的粘合层以增强相变材料与侧壁的扩散阻挡层、介电层的粘合性能，同时利用了该侧墙底部的尺寸大于顶部的尺寸，使得供相变材料沉积的空间的底部尺寸小于顶部尺寸，减小了相变材料与下电极的接触面积，换言之，该侧墙状的粘合层不但增加了相变材料与侧壁的扩散阻挡层、介电层的粘合性能，同时，降低了相变材料与下电极的接触面积，降低了操作电流。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上至少具有包埋在第一介电层中的相变存储器的下电极；在所述下电极及第一介电层上至少形成第二介电层；利用光刻、刻蚀在所述第二介电层内形成暴露所述下电极的沟槽；在第二介电层上及所述沟槽内形成TiON粘合层；对所述TiON粘合层进行刻蚀以暴露所述沟槽底部的下电极；在所述沟槽内填充相变材料且对所述沟槽外的相变材料进行平坦化去除。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210492209.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
