[发明专利]一种硅基绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201210491141.9 | 申请日： | 2012-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103839976A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 王盛凯;刘洪刚;孙兵;赵威 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法，该硅基绝缘体上砷化镓衬底结构包括：硅衬底；形成于该硅衬底之上的结晶氧化铍层；以及形成于该结晶氧化铍层之上的结晶砷化镓层。本发明提供的硅基绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法，通过在硅衬底表面沉积结晶氧化铍层，再在结晶氧化铍层表面上沉积单晶砷化镓层，从而实现了方便地在绝缘体上制备极薄砷化镓层，具有可大面积生长、散热性能好、衬底绝缘性能好、以及制备成本低廉等优点，可以方便在大尺寸晶圆上制备全耗尽砷化镓基器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘体 上砷化镓 衬底 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基绝缘体上砷化镓衬底结构，其特征在于，包括：硅衬底；形成于该硅衬底之上的结晶氧化铍层；以及形成于该结晶氧化铍层之上的结晶砷化镓层。
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