[发明专利]半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201210484830.7 | 申请日： | 2012-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN103839818B | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;朱慧珑;钟汇才 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙)11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在鳍片上形成假栅极绝缘层和第一假栅极层；在第一假栅极层上形成第二假栅极层；图案化第二假栅极层、第一假栅极层、假栅极绝缘层，形成假栅极堆叠结构；在假栅极堆叠结构沿第一方向的两侧形成栅极侧墙；去除假栅极堆叠结构，形成栅极沟槽；在栅极沟槽中形成栅极堆叠结构。依照本发明的半导体器件制造方法，采用多层假栅极结构，抑制了源漏外延期间假栅极层的横向生长，有效控制了假栅极剖面形态，提高了线条精细度，有效提高了器件的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在鳍片上形成假栅极绝缘层和第一假栅极层；在第一假栅极层上形成第二假栅极层，其中，第二假栅极层的掺杂剂量高于第一假栅极层和/或鳍片的掺杂剂量，以用于抑制第一和/或第二假栅极层的侧向外延生长；图案化第二假栅极层、第一假栅极层、假栅极绝缘层，形成假栅极堆叠结构；在假栅极堆叠结构沿第一方向的两侧形成栅极侧墙；去除假栅极堆叠结构，形成栅极沟槽；在栅极沟槽中形成栅极堆叠结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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