[发明专利]发射白光的发光二极管无效
| 申请号： | 201210484028.8 | 申请日： | 2012-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102931327A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 郝振东;张家骅;张霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;C09K11/55 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 王丹阳 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： |
发射白光的发光二极管，涉及荧光转换技术领域，解决了现有的发射白光的发光二极管存在发光效率低、性能差、成本高的问题，该二极管包括蓝光InGaN芯片,涂敷在所述蓝光InGaN芯片上的黄光荧光粉和封装材料，两者按照重量比为0～50%的比例混合均匀，涂敷在蓝光InGaN芯片上经灌封固化后制得发射白光的发光二极管；所述黄光荧光粉的化学式为Ca1-a-x-yMaO:Ce3+xR+y，a、x、y为元素摩尔分数，取值范围：0 |
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| 搜索关键词： | 发射 白光 发光二极管 | ||
【主权项】：
发射白光的发光二极管，包括蓝光InGaN芯片,其特征在于，还包括：涂敷在所述蓝光InGaN芯片上的黄光荧光粉和封装材料，两者按照重量比为0～50%的比例混合均匀，涂敷在蓝光InGaN芯片上经灌封固化后制得发射白光的发光二极管；所述黄光荧光粉的化学式为Ca1‑a‑x‑yMaO:Ce3+xR+y，其中a、x、y为元素摩尔分数，取值范围分别为：0
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