[发明专利]基于二氧化铪的电子束套刻标记及其制作方法有效
| 申请号： | 201210475683.7 | 申请日： | 2012-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN102969302A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 曾成;夏金松;张永 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/02;G03F9/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于二氧化铪的电子束光刻套刻标记，属于半导体器件微纳制造领域，其包括衬底和镀在衬底上的二氧化铪薄膜标记。本发明还提供了制作方法，具体为：（1）清洗衬底；（2）在衬底上旋涂电子抗蚀剂，通过电子束光刻工艺在电子抗蚀剂中形成套刻标记的图形阵列；（3）在电子抗蚀剂和衬底上蒸镀二氧化铪薄膜；（4）剥离附着在正性电子抗蚀剂的二氧化铪薄膜，得到二氧化铪标记。本发明采用了耐高温、粘附性好、价格低廉二氧化铪来制作电子束光刻的套刻标记。与传统的“钛+金”标记相比，降低了工艺成本，解决了金标记与Si衬底粘附性不好问题，提高套刻标记对衬底的粘附性和高温承受能力，保持了较高的套刻精度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化 电子束 标记 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于二氧化铪的电子束光刻套刻标记，其特征在于，包括衬底和镀在衬底上的二氧化铪薄膜标记。
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