[发明专利]一种二硼化镁基超导材料无效
| 申请号： | 201210472456.9 | 申请日： | 2012-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102969077A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 张俊;王斌;陈丽 | 申请（专利权）人： | 溧阳市生产力促进中心 |
| 主分类号： | H01B12/00 | 分类号： | H01B12/00 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 查俊奎 |
| 地址： | 213300 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高临界电流密度的二硼化镁超导材料，其中，该超导材料为在 MgB2 基超导材料中弥散分布着硅、铪及其化合物，该超导材料原子比组成为 Mg∶Hf∶B∶Si ＝1-x∶x∶2-x∶x，其中0.05≤x≤0.20。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二硼化镁基 超导 材料 | ||
【主权项】：
一种二硼化镁基超导材料，其特征在于，所述超导材料是在MgB2基超导材料中弥散分布着硅、铪及其化合物，该超导材料原子比组成为 Mg∶Hf∶B∶Si ＝1‑x∶x∶2‑x∶x，其中0.05≤x≤0.20。
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