[发明专利]背面钝化晶体硅太阳能电池的制备方法无效
| 申请号： | 201210469616.4 | 申请日： | 2012-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102969398A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 蔡二辉;刘伟;余涛;陈筑;刘晓巍 | 申请（专利权）人： | 宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙) 33228 | 代理人： | 李迎春 |
| 地址： | 315177 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶体硅太阳能电池制备领域，具体涉及一种背面钝化晶体硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：（1）将石墨舟中的石墨挡板进行加工，形成镂空的网状结构；（2）将硅片经制绒、扩散制作PN结、周边刻蚀、去除磷硅玻璃后装在硅片花篮里等待镀膜；（3）将经过步骤（2）处理后的硅片装在步骤（1）加工后的石墨舟中，使得硅片背面贴紧石墨挡板，且使用镀膜设备对硅片背面无遮挡区域和正面同时镀上氮化硅薄膜；（4）将步骤（3）中两面都镀好膜的硅片进行丝网印刷背面电极、背面电场和正面电极，然后共烧结，制作成背面钝化晶体硅太阳电池。采用以上方法成本低、重复性好、适合工业化批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 钝化 晶体 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种背面钝化晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）将石墨舟中的石墨挡板进行加工，形成镂空的网状结构；（2）将硅片经制绒、扩散制作PN结、周边刻蚀、去除磷硅玻璃后装在硅片花篮里等待镀膜；（3）将经过步骤（2）处理后的硅片装在步骤（1）加工后的石墨舟中，使得硅片背面贴紧石墨挡板，且使用镀膜设备对硅片背面无遮挡区域和正面同时镀上氮化硅薄膜；（4）将步骤（3）中两面都镀好膜的硅片进行丝网印刷背面电极、背面电场和正面电极，然后共烧结，制作成背面钝化晶体硅太阳电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
