[发明专利]一种区熔法生长大尺寸硅单晶用温度梯度控制装置及方法有效
| 申请号： | 201210465698.5 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103820847A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 曲翔 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/28 | 分类号： | C30B13/28;C30B13/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种区熔法生长大尺寸硅单晶用温度梯度控制装置及方法，该温度梯度控制装置包括温控反射器及温控系统，该温控反射器为石墨材质的圆筒形结构，设置在区熔炉体的加热线圈下方，其具有电流输入、输出端口；该温控系统包括温度传感器和主控制器，该温控反射器通过其电流输入、输出端口与主控制器连接。利用该温度梯度装置控制硅单晶生长温度梯度的方法是通过温度传感器将反射器内的温度信号传递到主控制器，通过主控制器控制温控反射器内电流的大小，进而控制反射器内的温度。本发明通过温控系统对反射器内的温度进行控制，在大直径硅单晶拉制过程中，能为硅单晶生长提供可调控的温度梯度，提高了大尺寸硅单晶的成晶率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 区熔法 生长 尺寸 硅单晶用 温度梯度 控制 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种区熔法生长大尺寸硅单晶用温度梯度控制装置，其特征在于，包括温控反射器及温控系统，该温控反射器为石墨材质的圆筒形结构，设置在区熔炉体的加热线圈下方，其具有电流输入、输出端口；该温控系统包括温度传感器和主控制器，该温控反射器通过其电流输入、输出端口与主控制器连接。
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