[发明专利]一种薄膜太阳电池的制备方法在审
| 申请号： | 201210465444.3 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102943238A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 李微 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58;H01L31/18 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 李凤 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜太阳电池的制备方法，包括在衬底上依次制备底电极、吸收层、缓冲层、窗口层和上电极，其特点是：采用CuIn1-XGaxSe2靶材，通过射频磁控溅射和退火处理法在底电极上制备吸收层。本发明由于采用了CuIn1-XGaXSe2化合物靶材射频磁控溅射法在底电极上制备CuIn1-XGaxSe2层，在溅射过程中即形成了CuIn1-XGaxSe2相，仅需要通过简单的热处理过程即提高了吸收层的结晶度，晶粒达到微米级，提高了吸收层的性能，有效提高了薄膜太阳电池的性能，并且相比传统的共蒸发工艺与金属预制层溅射后硒化工艺，并且大大简化了工艺过程，工艺重复性好，过程可控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜太阳电池的制备方法，以玻璃、柔性金属或聚酰亚胺膜作为衬底，包括在衬底上依次制备底电极、吸收层、缓冲层、窗口层和上电极，其特征在于：所述吸收层包括以下制备步骤：⑴采用CuIn1‑XGaxSe2化合物靶材，通过射频磁控溅射法，在衬底的底电极上制备CuIn1‑XGaxSe2层，⑵对⑴中制有CuIn1‑XGaxSe2层的衬底进行退火处理，底电极上得到CuIn1‑XGaxSe2化合物半导体薄膜作为吸收层。
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