[发明专利]一种基于长周期深刻蚀槽光栅的波长可调谐激光器无效
| 申请号： | 201210462901.3 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102931581A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 王寅;杨友光;何建军 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 周烽 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于长周期深刻蚀槽光栅的波长可调谐激光器，它包括深刻蚀反射面、第一深刻蚀槽光栅区、第二深刻蚀槽光栅区和输出波导；第一深刻蚀槽光栅区与第二深刻蚀槽光栅区由深刻蚀槽构成，两个区域具有不同的光栅周期并分别被两块独立电极覆盖，通过调节两个电极的注入电流可以实现波长；激光器制作在半导体外延片上，从下往上分别包括下包层，量子阱层和上包层以及以上所述各层之间的一些辅助层；本发明操作简便，能够实现单电极调谐信道；可应用于集成光路器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 周期 深刻 光栅 波长 调谐 激光器 | ||
【主权项】：
一种基于长周期深刻蚀槽光栅的波长可调谐激光器，特征在于，它主要由一体形成的深刻蚀反射面（9）、第一深刻蚀槽光栅区（7）、第二深刻蚀槽光栅区（8）和输出波导（10）等组成；所述的第一深刻蚀槽光栅区（7）和第二深刻蚀槽光栅区（8）分别由1~3个深刻蚀槽构成，每个深刻蚀槽的宽度是四分之一激光器中心波长的整数倍；所述的第一深刻蚀槽光栅区（7）和第二深刻蚀槽光栅区（8）具有不同的光栅周期，并分别被第一深刻蚀槽光栅区电极（70）和第一深刻蚀槽光栅区电极（80）覆盖，可以通过向第一深刻蚀槽光栅区电极（70）或第一深刻蚀槽光栅区电极（80）注入电流来调谐激光器的波长；所述激光器制作在半导体外延片上，从下往上生长下包层（11）、量子阱层（12）、上包层（13）以及上述各层之间的辅助层（14）；所述第一深刻蚀槽光栅区（7）、第二深刻蚀槽光栅区（8）和深刻蚀反射面（9）的刻蚀深度均到达下包层（11）。
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