[发明专利]高灵敏的表面增强拉曼传感芯片制作方法无效
申请号: | 201210462728.7 | 申请日: | 2012-11-16 |
公开(公告)号: | CN102910576A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 夏良平;杨正;尹韶云;杜春雷;史浩飞 | 申请(专利权)人: | 重庆绿色智能技术研究院 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人: | 霍本俊 |
地址: | 401122 重庆市*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 本发明公开了一种高灵敏的表面增强拉曼传感芯片制作方法,包括如下步骤:1)对基片进行亲水处理;2)选择大小均一的介质纳米球乳胶溶液,利用旋涂法或提拉法在亲水处理后的基片上自组装单层紧密排列的介质纳米球阵列;3)利用反应离子刻蚀技术对步骤2)所得到的介质纳米球阵列进行刻蚀;4)在步骤3)所得到的刻蚀后的介质纳米球阵列上,镀上金属膜,镀膜厚度小于步骤3)中的刻蚀厚度,即获得高灵敏的表面增强拉曼传感芯片。本发明解决了现有表面增强拉曼传感芯片物理光刻与化学合成制备方法获得的芯片的重复性、均一性与灵敏度之间不可兼得的矛盾,制备了灵敏度高且重复性、均一性好的表面增强拉曼芯片。 | ||
搜索关键词: | 灵敏 表面 增强 传感 芯片 制作方法 | ||
【主权项】:
一种高灵敏的表面增强拉曼传感芯片制作方法,其特征在于:包括如下步骤:1)对基片进行亲水处理;2)选择大小均一的介质纳米球乳胶溶液,利用旋涂法或提拉法在亲水处理后的基片上自组装单层紧密排列的介质纳米球阵列;3)利用反应离子刻蚀技术对步骤2)所得到的介质纳米球阵列进行刻蚀;4)在步骤3)所得到的刻蚀后的介质纳米球阵列上,镀上金属膜,镀膜厚度小于步骤3)中的刻蚀厚度,即获得高灵敏的表面增强拉曼传感芯片。
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