[发明专利]一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201210460335.2 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102945807A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 何宗泽 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/786;H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;安利霞 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管，涉及液晶显示领域。其中薄膜晶体管包括：一衬底基板；形成在所述衬底基板上的立体结构的栅电极；覆盖所述栅电极的栅绝缘层；形成在所述栅绝缘层上的半导体层；形成在所述半导体层上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的源漏电极，所述薄膜晶体管形成的沟道为立体结构。本发明的方案可以降低驱动电压减少驱动电路功耗，减少TFT占用面积增加通光率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括，提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成立体结构的栅电极；在形成有所述栅电极的衬底基板上形成覆盖所述栅电极的栅绝缘层；在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上形成半导体层；形成有所述半导体层的衬底基板上形成缓冲层；在形成有所述缓冲层的衬底基板上形成金属层，通过构图工艺对所述金属层进行处理，形成源漏电极，所述薄膜晶体管形成的沟道为立体结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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