[发明专利]DIP封装元件的开盖方法无效
| 申请号： | 201210459284.1 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102938386A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 程兔 | 申请（专利权）人： | 苏州华碧微科检测技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;G01N21/95 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215024 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种DIP封装元件的开盖方法，该方法包括以下步骤：A、用金属件将DIP封装元件的全部引脚通过焊接的方式连接为一个固定整体；B、使用发烟硝酸与浓硫酸按比例配制为开盖溶剂并置于烧杯中，加热开盖溶剂，直至开盖溶剂开始产生气泡；C、使用耐腐蚀的丝线制成挂钩，用挂钩将DIP封装元件悬挂于烧杯杯口，DIP封装元件浸入烧杯中的开盖溶液中进行腐蚀；D、待DIP封装元件腐蚀完成后，取出元件，进行超声波清洗至元件完全洁净。本发明方法可进行批量DIP封装元件开盖，提高了，开盖的效率；本发明方法降低了DIP封装元件的开盖成本，提高了开盖的速度，极大地提高了开盖的效率，给企业带来极大的利益。 | ||
| 搜索关键词： | dip 封装 元件 方法 | ||
【主权项】：
一种DIP封装元件的开盖方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：A、用金属件将DIP封装元件的全部引脚通过焊接的方式连接为一个固定整体；B、使用发烟硝酸与浓硫酸按比例配制为开盖溶剂并置于烧杯中，加热开盖溶剂，直至开盖溶剂开始产生气泡；C、使用耐腐蚀的丝线制成挂钩，用挂钩将DIP封装元件悬挂于烧杯杯口，DIP封装元件浸入烧杯中的开盖溶液中进行腐蚀；D、待DIP封装元件腐蚀完成后，取出元件，进行超声波清洗至元件完全洁净。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
