[发明专利]发光二极管磊晶结构无效
| 申请号： | 201210459151.4 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103811613A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 连亚琦;洪梓健 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管磊晶结构，其包括N型半导体层、设置在该N型半导体层上的活性层、以及设置在该活性层上的P型半导体层。该活性层的横截面为平行四边形，且该平行四边形的内角均不为直角。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管磊晶结构，其包括N型半导体层、设置在该N型半导体层上的活性层、以及设置在该活性层上的P型半导体层，其特征在于：该活性层的横截面为平行四边形，且该平行四边形的内角均不为直角。
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