[发明专利]半导体器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201210458652.0 | 申请日： | 2012-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103456364B | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 金世训 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体存储器件及其操作方法。所述半导体存储器件包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；以及外围电路，针对所述多个存储器单元之中的与一个字线连接且被相继布置的第一存储器单元、第二存储器单元、第三存储器单元和第四存储器单元进行编程；其中，所述外围电路被配置成在第一时间间隔中对所述第一存储器单元和所述第四存储器单元进行编程，且在第二时间间隔中对所述第二存储器单元和所述第三存储器单元进行编程。提供了具有提高的性能的半导体存储器件及其操作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；页缓冲器单元，被配置成包括多个页缓冲器，所述多个页缓冲器分别经由多个位线之中的一个第一类型的位线和多个位线之中的一个第二类型的位线耦接至所述多个存储器单元；以及控制逻辑部，被配置成：在编程操作期间，控制所述页缓冲器单元在第一时间间隔中选择所述第一类型的位线、而在第二时间间隔中选择所述第二类型的位线，其中，所述一个第一类型的位线和所述一个第二类型的位线耦接至所述多个页缓冲器之中的每一个页缓冲器，其中，对连接至所述多个位线之中的边缘位线的多个存储器单元进行编程的时刻不同于对连接至所述多个位线之中的与所述边缘位线相邻的位线的多个存储器单元进行编程的时刻，其中，当耦接至所述多个页缓冲器之中的相邻页缓冲器中的每一个页缓冲器的位线是相邻的时，彼此相邻的位线具有同一类型，其中，所述多个页缓冲器之中的彼此相邻的两个页缓冲器同时选择一个所述第一类型的位线或一个所述第二类型的位线，以及其中，连接至所述多个页缓冲器之中的每一个页缓冲器的位线之一是根据位线的类型而在所述第一时间间隔中或所述第二时间间隔中被选择的。
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