[发明专利]去氧孕烯晶型及其制备方法在审
| 申请号： | 201210458155.0 | 申请日： | 2012-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103804454A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 沈国兵;张跃良;戴健;曹韵律;黄河 | 申请（专利权）人： | 上海信谊药厂有限公司 |
| 主分类号： | C07J11/00 | 分类号： | C07J11/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
去氧孕烯晶型及其制备方法。提供了一种一种具有下式I的去氧孕烯晶体，所述去氧孕烯晶体在粉末X-射线衍射图谱中，使用CuKα射线测量，其主衍射峰2θ角度为：8.6±0.2°、11.3±0.2°、11.8±0.2°、13.9±0.2°、14.2±0.2°、16.0±0.2°、17.0±0.2°、19.0±0.2°、20.5±0.2°和21.8±0.2°。 |
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| 搜索关键词： | 去氧孕烯晶型 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有下式I的去氧孕烯晶体：![]()
所述去氧孕烯晶体在粉末X-射线衍射图谱中，使用CuKα射线测量，其主衍射峰2θ角度为：8.6±0.2°、11.3±0.2°、11.8±0.2°、13.9±0.2°、14.2±0.2°、16.0±0.2°、17.0±0.2°、19.0±0.2°、20.5±0.2°和21.8±0.2°。
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