[发明专利]CMOS输入缓冲器有效

专利信息
申请号: 201210455598.4 申请日: 2012-11-14
公开(公告)号: CN102931972A 公开(公告)日: 2013-02-13
发明(设计)人: 陈玺;胡刚毅;徐学良;黄兴发;李梁;沈晓峰;徐鸣远;张磊;王妍;叶荣科;王友华;黄旭;李皎雪 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 代理人: 赵荣之
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 发明涉及一种高线性CMOS输入缓冲器电路,它包括CMOS输入跟随电路、跟随管线性度提高电路、电流源负载和负载阻抗线性度提高电路。本发明通过跟随管线性度提高电路,用于检查输入信号的变化趋势,将其作用于跟随管,抵消输入信号变化带来的跟随管自身跨导值和输出阻抗的非线性变化,提高CMOS输入缓冲器的线性度。本发明采用的器件完全可以标准CMOS工艺提供,实现简单成本低,且在高频时具有同样良好的线性度,适用于需要高线性输入缓冲器的CMOS模拟IC和数模混合IC领域。
搜索关键词: cmos 输入 缓冲器
【主权项】:
CMOS输入缓冲器,其特征在于:包括CMOS输入跟随电路、跟随管线性度提高电路、电流源负载和负载阻抗线性度提高电路;所述CMOS输入跟随电路,用于跟随输入信号变化,输出跟随输入信号的输出信号;所述跟随管线性度提高电路,用于获取输入信号的变化趋势,并将输入信号反馈作用于CMOS输入跟随电路;所述电流源负载,用于提供所述CMOS输入跟随电路正常工作的偏置电流;所述负载阻抗线性度提高电路连接于CMOS输入跟随电路和电流源负载之间,用于增强电流源负载阻抗的绝对值,减小绝对值相对变化幅度,提高CMOS输入缓冲器负载阻抗的线性度。
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