[发明专利]半导体晶体管器件无效
| 申请号： | 201210454375.6 | 申请日： | 2008-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN102938412A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 李孟烈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/40;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 郭鸿禧 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体晶体管器件。该半导体晶体管器件包括漂移区、绝缘结构、栅极绝缘体、栅电极、源极和漏极。漂移区包括具有第一掺杂剂浓度的第一横向部分和具有第二掺杂剂浓度的第二横向部分，其中，第二掺杂剂浓度高于第一横向部分的第一掺杂剂浓度。绝缘结构形成在漂移区上，并设置在第一横向部分和第二横向部分之间的边界的上方，从而在操作过程中，在漂移区中产生的空穴被最少化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体晶体管器件，所述半导体晶体管器件包括：漂移区，包括具有第一掺杂剂浓度的第一横向部分和具有第二掺杂剂浓度的第二横向部分，其中，第二掺杂剂浓度高于第一横向部分的第一掺杂剂浓度；绝缘结构，形成在漂移区上，并设置在第一横向部分和第二横向部分之间的边界的上方；栅极绝缘体，形成在第一横向部分的暴露部分上；栅电极，形成在绝缘结构的一部分的第一表面和栅极绝缘体上，绝缘结构还具有与漂移区的第一横向部分毗邻的第二表面；源极，朝着漂移区的第一横向部分设置；漏极，朝着漂移区的第二横向部分设置；以及漂移区的附加N型漂移部分，朝着漏极形成在第二横向部分中，其中，绝缘结构与漂移区的第一横向部分和第二横向部分、附加N型漂移部分和半导体晶体管器件的所述漏极毗邻。
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