[发明专利]一种紧凑型智能功率驱动模块及其封装方法无效
申请号: | 201210452354.0 | 申请日: | 2012-11-12 |
公开(公告)号: | CN102931104A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 丁立国 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/58 | 分类号: | H01L21/58;H01L21/60;H01L23/13;H01L23/495 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供一种紧凑型智能功率驱动模块的封装方法,包括:提供框架;在框架相对内侧中分别设有多组驱动信号引线脚和多个载片台;分别由相邻的两个载片台为一组弯曲后形成一组功能信号引线模块;在每组驱动信号引线模块上设绝缘层;在每个绝缘层上安装高压控制芯片,将每个高压控制芯片分别相应地靠近一组载片台;在每个载片台上设MOSFET管;将高压控制芯片、MOSFET管与框架通过金属线进行电连接。本发明还提供一种紧凑型智能功率驱动模块,基于一定的封装尺寸内通过框架结构及芯片安装方法的设计,实现多个高压控制芯片在不同功率场合实现封装需求,以形成可以在更广泛的电流、电压及紧凑场合领域得到应用的单相智能功率驱动模块和三相智能功率驱动模块。 | ||
搜索关键词: | 一种 紧凑型 智能 功率 驱动 模块 及其 封装 方法 | ||
【主权项】:
一种紧凑型智能功率驱动模块的封装方法,包括:提供一框架;在所述框架一内侧设多组驱动信号引线模块;在与所述框架一内侧相对的另一内侧设多个载片台,将相邻的两个所述载片台为一组对多个所述载片台分组;分别由每组所述载片台弯曲后形成一组功能信号引线模块;在每组驱动信号引线模块上设绝缘层;在每个所述绝缘层上安装一高压控制芯片,将每个所述高压控制芯片分别相应地靠近一组所述载片台;在每个所述载片台上设MOSFET管;将所述高压控制芯片、MOSFET管与框架通过金属线进行电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造