[发明专利]非易失性存储元件及包括该非易失性存储元件的存储装置

摘要

本发明提供非易失性存储元件、包括该非易失性存储元件的存储装置以及存储装置的操作方法和制造方法。非易失性存储元件可以包括第一电极和第二电极之间的存储层，其中存储层可以具有多层结构。存储层可以包括第一材料层和第二材料层且由于离子物种和离子空位的至少之一在该第一材料层和该第二材料层之间的移动而具有电阻变化特性。第一材料层和第二材料层当中至少第一材料层可以掺杂金属。第一材料层可以是氧供应层，且第二材料层可以是氧交换层。例如，金属可以包括钨（W）。非易失性存储元件可以具有多位存储特性。

主权项

一种非易失性存储元件，包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极分隔开；以及存储层，在所述第一电极和所述第二电极之间，其中所述存储层包括第一材料层和第二材料层，且由于离子物种和离子空位的至少之一在该第一材料层和该第二材料层之间的移动，所述存储层具有电阻变化特性，且所述第一材料层和所述第二材料层当中的至少所述第一材料层掺杂金属。