[发明专利]一种降低镀铜层空隙率的无氰电镀铜的方法在审
申请号: | 201210445617.5 | 申请日: | 2012-11-08 |
公开(公告)号: | CN103806050A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 林永峰 | 申请(专利权)人: | 无锡新三洲特钢有限公司 |
主分类号: | C25D5/18 | 分类号: | C25D5/18;C25D3/38 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 杨小双 |
地址: | 214100 江苏省无锡市惠*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种降低镀铜层空隙率的无氰电镀铜的方法:对基体交替进行直流电镀单元和脉冲电镀单元,电镀液pH控制在12~13之间,温度为50~70℃。其中,每一个直流电镀单元电镀铜的阴极电流密度为0.5~3.0A/dm2,电镀时间为2-3min;其中,每一个交流电镀单元电镀铜的脉冲平均电流密度为0.5-3.0A/dm2;占空比为15%,电镀时间为2-3min。所述方法获得的镀层在镀层厚度为10-20μm时具有极小的空隙率。 | ||
搜索关键词: | 一种 降低 镀铜 空隙 无氰电 方法 | ||
【主权项】:
一种降低镀铜层空隙率的无氰电镀铜的方法:对基体交替进行直流电镀单元和脉冲电镀单元,电镀液pH控制在12~13之间,温度为50~70℃;其中,每一个直流电镀单元电镀铜的阴极电流密度为0.5~3.0A/dm2,电镀时间为2‑3min;其中,每一个交流电镀单元电镀铜的脉冲平均电流密度为0.5‑3.0A/dm2;占空比为15%,电镀时间为2‑3min。
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